我司目前可提供晶片暫時貼合及晶片分離設備,GaN On SiC製程可媲美IGBT製程


我司目前可以提供晶片暫時貼合及晶片分離設備
薄晶片傳送設備(ESC),晶片暫時貼合膠,
耐溫>350度 IGBT封裝用有機材料。
以上是GaN On SiC製程,如果與IGBT比較的話,只差一個Implantation 離子植入。

如有公司有需求請聯繫:milin.wu@msa.hinet.net

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